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发布时间：2019-09-23 14:06
原标题：国产芯片大突破！长鑫存储内存项目投产，放眼千亿市场
据媒体报道，20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。
据了解，该项目是由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与兆易创新公司共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。分析认为，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。
相关公司方面，
有研新材：与国内存储企业保持密切合作，铜靶、钴靶等已小部分投入使用，多款产品处在测试阶段。
太极实业：子公司十一科技为合肥长鑫提供“长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目建设工程EPC总承包”服务；子公司太极半导体2018年体中标合肥睿力存储器业务，作为合格供应商被选定为后续封装与测试业务的供应商之一。
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