12月15日，在加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议（IEDM 2021）上，IBM 透露它和三星的合作在半导体设计上取得了“突破”，提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET。
VTFET，即垂直传输场效应晶体管，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET （鳍式场效应晶体管）技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。这样的布局将让电流在晶体管堆叠中上下流动，而在目前大多数芯片上使用的设计中，电流是水平流动的。
相比 FinFET，VTFET能让晶体管使用更大的电流，同时减少了能源浪费，可以有两倍性能提升，或者减少85%能耗。
IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说道：“VTFET制造工艺是关于挑战传统，并重新思考我们如何继续推进社会，提供改善生活、商业和减少环境影响的新创新。”
延续摩尔定律
1965 年，计算机科学家戈登 · 摩尔提出著名的摩尔定律假设：
集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月便会增加一倍，同时计算机的运行速度和存储容量也翻一番。
然而当前可以塞进单个芯片的晶体管数量几乎达到了极限。为了延续摩尔假设的速度和计算能力的进步，我们需要制造具有多达 1000 亿个晶体管的芯片。
VTFET技术工艺通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放障碍，并在性能和能耗方面对这些功能进行优化。
通过 VTFET，IBM 和三星成功地证明了在半导体设计中，探索纳米片技术以外的缩放性能是可能的。
IBM 和三星合作研究的半导体设计的突破性进展，有助于摩尔定律在未来几年保持活力，并重塑半导体行业。
未来芯片方向
虽然我们无从知晓 VTFET 设计工艺何时能够制成芯片为我们所用，但是IBM和三星已经提出了一些大胆的想法：
手机充一次电可以用一周；
数据加密等能源密集型流程需要的能源会大大减少，碳足迹也会更小；
用于更强大的物联网设备，使它们能够在更多样化的环境中运行，如海洋浮标、自动驾驶汽车和航天器。
除IBM和三星，英特尔也在今年夏天公布了其即将推出的 RibbonFET（英特尔首款全环栅晶体管）设计，这是其在FinFET技术上获得的专利。这项技术将成为英特尔 20A 代半导体产品的一部分，而20A代芯片则计划于 2024 年开始量产。
半导体的垂直设计已经发展许久，并从现在通用的FinFET技术中获得了一定的灵感。当平面空间已经更难让晶体管进行堆叠时，未来唯一真正的方向或许就是向上堆叠。
